太陽光模擬器測試非晶硅薄膜需要注意的地方
更新時(shí)間：2024-12-02 點(diǎn)擊次數(shù)：1498
在我們使用太陽光模擬器來測試非晶硅薄膜時(shí)應(yīng)該注意哪些注意點(diǎn)呢深化涉外？根據(jù)小編發(fā)現(xiàn)有許多的人都不知道測試非晶硅薄膜應(yīng)該注意哪些呢結構不合理？
非晶硅太陽光模擬器電性能測試方法從原則到具體程序都和單晶硅、多晶硅太陽光模擬器電性能測試相同落地生根，但必須注意以下幾點(diǎn)區(qū)別高效，否則可能導(dǎo)致嚴(yán)重的測量誤差分析。
一、校準(zhǔn)輻照度：應(yīng)選用恰當(dāng)?shù)男?、專用于非晶硅太陽光模擬器測試的非晶硅標(biāo)準(zhǔn)太陽光模擬器來校準(zhǔn)輻照度。如果采用單晶硅或者多晶硅太陽光模擬器作為標(biāo)準(zhǔn)來校準(zhǔn)輻照度，將會得到毫無意義的測試結(jié)果十大行動。當(dāng)然重要性，按照光譜失配的理論，如果所選的用的測試光源十分理想體系，那么系統穩定性，即使用單晶硅標(biāo)準(zhǔn)太陽光模擬器校準(zhǔn)輻照度也能獲得正確的結(jié)果背景下，當(dāng)然，這個(gè)在一般生產(chǎn)或者實(shí)驗(yàn)室是很難做到的科技實力。
二開展試點、光源：用于非晶硅太陽光模擬器電性能測試的太陽光模擬器的光源應(yīng)盡可能選用在300納米到800納米波長范圍內(nèi)，光譜特性非常接近AM1.5太陽光譜齊全。
三廣泛關註、光譜響應(yīng)：太陽光模擬器的光譜響應(yīng)就是當(dāng)某一波長的光照射在電池表面上時(shí)，每一光子平均所能收集到的載流子數(shù)機製。由于用不同材料和工藝制造的太陽光模擬器的光譜響應(yīng)差異很大各項要求，同時(shí)考慮電池的光譜響應(yīng)和光源的光譜分布這兩個(gè)因素就能夠得到更好的測量結(jié)果；更進(jìn)一步來說發力，多結(jié)薄膜電池中各結(jié)的電流匹配也需要對每結(jié)的光譜響應(yīng)做出精確的測量優勢與挑戰。非晶硅太陽光模擬器的光譜響應(yīng)特性與所加偏置光及偏置電壓有關(guān)，在非標(biāo)準(zhǔn)條件下進(jìn)行測試和換算時(shí)應(yīng)注意相關(guān)條件越來越重要的位置。
非晶硅的光譜響應(yīng)波長范圍為400納米到800納米問題分析，而單晶硅光譜響應(yīng)波長范圍為400納米到1100納米。由于模擬器用氙燈光源的光譜在800nm到1100nm的紅外區(qū)段的光譜比標(biāo)準(zhǔn)的AM1.5的光譜更為豐富解決方案。采用單晶硅標(biāo)準(zhǔn)件標(biāo)定太陽光模擬器來測非晶硅太陽光模擬器不負眾望，在800納米到1100納米波段對非晶硅太陽光模擬器電流沒有任何貢獻(xiàn)，但對單晶硅太陽光模擬器的電流有著非常大的貢獻(xiàn)技術，這就會產(chǎn)生嚴(yán)重的失配改善，導(dǎo)致非晶硅太陽光模擬器的電流大幅度被壓低，引起嚴(yán)重的測量誤差結構重塑。
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